教育背景

2007.08 --- 2011.06， 重庆大学， 应用物理学， 理学学士

2011.09 --- 2014.06， 山东大学， 集成电路工程， 工程硕士

2014.09 --- 2018.07， 北京大学， 通信与信息系统， 工学博士

工作经历

2018.08 --- 2024.12， 三明学院信息工程学院副教授、硕导；

2024.12 --- 2025.07， 三明学院信息工程学院教授、硕导；

2025.08 ---今， 齐鲁师范学院物理与电子工程学院教授、硕导；

科研项目

（1）国家重点实验室开放基金：高性能硅基光电探测器的研究，2019GZKF4，2019.01-2020.12, 6万；

（2）三明学院引高项目：硅基集成全硅长波长吸收光电探测器的研究，18YG14，2018.12-2021.12, 20万；

（3）福建省教育厅中青年项目：高质量自支撑Ga2O3薄膜的制备及特性表征，JAT190693,2020.01-2021.12, 2万；

（4）三明学院国家自然科学基金培育基金：CMOS兼容的C波段应力硅探测器的制备及机理研究，PYT2007,2020.12-2023.12, 2万；

（5）国家重点实验室开放基金：硅基集成应力硅调制器和探测器的制备及机理研究，2021GZKF001，2021.01-2022.12, 8万；

（6）福建省自然科学基金面上项目：一阶电光效应硅基调制器的制备及机理研究，2021J011129，2021.08.01-2024.08.01，10万；

（7）教育部协同育人项目：硅基光电芯片设计及集成工艺的虚拟仿真，202102391032,2021.12.17-2023.12.16, 2万；

（8）横向项目：智能网联汽车车载激光雷达芯片研发项目（厦门金龙联合汽车工业有限公司），KH23102，2023.10.1-2025.9.30，10万；

（9）福建省自然科学基金面上项目：高光功率下硅基锗探测器的频率特性研究及优化设计，2025J01394，2025.09.01-2028.08.31，10万；

（10）国家重点实验室开放基金：Pockels 效应硅基调制器的制备及机理研究，2026QZKF02，2026.01-2027.12, 5万；

（11）横向项目：车规级高精度定位系统开发（山东大学），2025.12.20-2026.12.19,8万；

学术成果

1.发表sci收录论文

(1) Hongdi Xiao*, Haiyan Pei*, Jianqiang Liu, Jishi Cui, Bo Jiang, Qingjie Hou, Wenrong Hu; Fabrication, characterization, and photocatalysis of GaN–Ga₂O₃ core-shell nanoparticles[J].Materials Letters,71 (2012) 145-147.

(2) Hongdi Xiao*, Jianqiang Liu, Caina Luan, Ziwu Ji, and Jishi Cui; Structure and growth mechanism of quasi-aligned GaN layer-built nanotowers[J]. Applied Physics Letters 100 (2012) 213101.

(3) Jishi Cui, Hongdi Xiao*, Jianqiang Liu, Caina Luan, Ziwu Ji, Haiyan Pei; Morphology and growth mechanism of gallium nitride nanotowers synthesized by metal–organic chemical vapor deposition[J]. Journal of Alloys and Compounds, 563 (2013) 72-76.

(4) Hongdi Xiao*, Jishi Cui, Dezhong Cao, Qingxue Gao, Jianqiang Liu, Jin Ma; Self-standing nanoporous GaN membranes fabricated by UV-assisted electrochemical anodization[J]. Materials Letters, 71(2015) 304-307.

(5) Jishi Cui, Hongdi Xiao*, Dezhong Cao, Ziwu Ji, Jin Ma; Porosity-induced relaxation of strains at different depth of nanoporous GaN studied using the Z-scan of Raman spectroscopy[J]. Journal of Alloys and Compounds, 626 (2015) 154-157.

(6) Hangzhou Xu, Hongdi Xiao, Haiyan Pei*, Jishi Cui, Wenrong Hu; Photodegradation activity and stability of porous silicon wafers with (100) and (111) oriented crystal planes[J]. Microporous and Mesoporous Materials, 204 (2015) 251–256.

(7) Dezhong Cao, Hongdi Xiao*, Hangzhou Xu, Jishi Cui, Qingxue Gao, Haiyan Pei; Enhancing the photocatalytic activity of GaN by electrochemical etching[J]. Materials Research Bulletin, 70 (2015) 881–886.

(8) Jishi Cui, Dezhong Cao, Qingxue Gao, Xiaokun Yang, Jianqiang Liu, Jin Ma, Hongdi Xiao*, Porosity-induced weakening of piezo response in GaN layers by means of piezoelectric force microscopy[J]. Materials Letters, 208 (2017) 31-34.

(8) Zhiping Zhou*, Bing Yin, Qingzhong Deng, Xinbai Li, and Jishi Cui, Lowering the energy consumption in silicon photonic devices and systems [Invited][J]. Photonics Research, 2015, 3(5): B28-B46.

(9) Rui Ye, Chao Xu, Xingjun Wang*, Jishi Cui, and Zhiping Zhou*,Room-temperature near-infrared up-conversion lasing in single-crystal Er-Y chloride silicate nanowires[J]. Scientific Reports, 6 (2016) 34407.

(10) Jishi Cui, Zhiping Zhou*, High performance Ge-on-Si photodetector with optimized DBR location, Optics Letters, 42 (2017) 5141-5144.

(11) Jishi Cui, Bowen Bai, Fenghe Yang, and Zhiping Zhou*, Optical saturation characteristics of dual-and single-injection Ge-on-Si photodetectors[J]. Chinese Optics Letters, 2018, v.16(07):82-85.

(12) Jishi Cui*, Tiantian Li, Hongmin Chen, Wenjing Cui. High-Performance Microring Resonator Ge-on-Si Photodetectors by Optimizing Absorption Layer Length[J]. IEEE Photonics Journal, 2020, 12(4): 1-8.

(13) Jishi Cui*, Tiantian Li, Fenghe Yang, Wenjing Cui, Hongmin Chen. The dual-injection Ge-on-Si photodetectors with high saturation power by optimizing light field distribution[J]. Optics Communications, 2021, 480: 126467.

(14) Jishi Cui*, Jianping Zhou, Hongmin Chen, Hongdi Xiao*. Effect of Ultraviolet and room lights on porous GaN films using photo-assisted electrochemical etching[J]. Materials Letters, 2021: 130287.

(15) Jishi Cui, Hongmin Chen, Jianping Zhou, Tiantian Li*. High Performance Ge-on-Si Photodetector With Optimized Light Field Distribution by Dual-Injection[J]. IEEE Photonics Journal, 2022, 14(2): 1-4.

(16) Jishi Cui, Jianping Zhou, Hongdi Xiao*, Performance improvement of InGaN-based multiple quantum wells embedded nanoporous n-GaN layers[J]. Journal of Alloys and Compounds, 2022: 166567.

(17) Chang Chang, Xiaoping Xie*, Tiantian Li, and Jishi Cui*, Configuration of the active region for the Ge-on-Si photodetector based on carrier mobility, Frontiers in Physics, 2023, 11: 1150684.

(18) Hongyan Zhu, Jishi Cui*, Rongrong Chen, Bo Feng, Xinyu Han, Caina Luan, Jin Ma, Hongdi Xiao*, Effect of oxygen pressure during the growth of ZnSnO3 epitaxial thin films on LiNbO3 substrates, Applied Surface Science, 2023, 638, 158029.

(19) Jishi Cui, Hongmin Chen, Fenghe Yang, Hongdi Xiao*, Fabrication of InGaN/GaN multiple quantum well embedded on nanoporous GaN mirror under different acid electrolytes[J]. Optical Materials, 2023, 145: 114469.

(20) Jie Liu, Jishi Cui*, Hongdi Xiao*, Electrochemical Etching of n-type GaN in Different Electrolytes[J]. Journal of Alloys and Compounds, 2024: 173846.

(21)Xinyu Han, Biao Zhang, Hongyan Zhu, Rongrong Chen, Yong Le, Hao Zhou, Yuankang Wang, Caina Luan, Jishi Cui, Hongdi Xiao，MgSnO3 epitaxial thin films for solar-blind photodetection: Fabrication and Properties, Vacuum, 2024:113340.

(22) Jin Jiang, Yiqun Wei, Yutao Yue*, Hongmin Chen, Fenghe Yang, Jishi Cui*, Lateral Incidence Ge-on-Si Photodetector with High Saturation Characteristics[J]. Optics Communications, 2025, 578: 131516.

(23) Jin Jiang, Hongmin Chen, Fenghe Yang, Chunlai Li, Jin He, Xiumei Wang*, Jishi Cui*，The frequency response characteristics of Ge-on-Si photodetectors under high incident power. Nanomaterials, 2025, 15, 398.

(24) Jishi Cui, Yuankang Wang, Jin He, Chunlai Li*, Hongdi Xiao*, Structural, optical, photoresponse properties of β-TeO₂ epitaxial film

fabricated via PLD method, Journal of Alloys and Compounds, 2026, 1057, 186650.

2. 授权国家发明专利

（1）发明名称：光波导探测器与光模块，专利号：CN201610113602.7，发明人：费永浩、崔积适、朱以胜；

（2）发明名称：一种用于C波段的应力硅探测器及其制作方法，专利号：CN201711267068.6，授权号：CN108039377B，发明人：周治平、崔积适；

（3）发明名称：一种基于Slot波导的锗探测器及其制作方法，专利号：CN201711207688.0，授权号：CN107978648B，发明人：周治平、崔积适；

（4）美国发明专利：Yonghao Fei, Jishi Cui, and Yisheng Zhu. "Optical waveguide detector and optical module." U.S. Patent No. 10,446,707. 15 Oct. 2019.

（5）发明名称：基于硅基锗光电探测器的光电探测方法和系统及设备，专利号：ZL201811319994.8，授权号：CN109616532B，授权日：2020.04.03，发明人：崔积适，刘持标，邱锦明，陈洪敏；

（6）发明名称：一种电容式光电探测器及制作工艺，专利号：ZL201811253035.0，授权号：CN109545882B，授权日：2020.10.13，发明人：崔积适，刘持标，邱锦明，陈洪敏；

（7）发明名称：一种自支撑锗薄膜的制备方法及锗薄膜，专利号：ZL201910088551.0，授权号：CN109920723B，授权日：2020.11.24，发明人：崔积适，；（已失效）

（8）发明名称：一种具有电流放大作用的硅光电探测器，专利号：ZL201911176655.3，授权号：CN110993708B，授权日：2021.03.30，发明人：崔积适；

（9）发明名称：一种基于石墨烯的光电探测器，专利号：ZL201910614105.9，授权号：CN110379871B，授权日：2021.10.22，发明人：崔积适；

（10）发明名称：硅基电光调制器的调制臂长度设置方法及设备，专利号：ZL201811321140.3，授权号：CN109324428B，授权日：2021.11.12，发明人：崔积适，刘持标，邱锦明，陈洪敏；（已转让：晞核光电（南通）有限公司）

（11）发明名称：一种新型侧向pn结光电探测器，专利号：ZL202010575846.3，授权号：CN111668328B，授权日：2022.03.15，发明人：崔积适，王娟，崔文静，陈洪敏；

（12）发明名称：一种光电微环及光电探测器，专利号：ZL202010574928.6，授权号：CN111697087B，授权日：2022.04.05，发明人：崔积适；

（13）发明名称：一种光电探测器，专利号：ZL202010575950.2，授权号：CN111668329B，授权日：2022.04.05，发明人：崔积适；

（14）发明名称：一种电容式光电探测器，专利号：ZL202010574763.2，授权号：CN111668327B，授权日：2022.04.22，发明人：崔积适,王娟，崔文静，陈洪敏；

（15）发明名称：一种光栅结构的硅基全硅表面吸收探测器及其制备方法，专利号：ZL202010997856.6，授权号：CN112201707B，授权日：2022.06.24，发明人：崔积适，王娟，崔文静，陈洪敏；

（16）发明名称：一种应力可控的应力硅及其制备方法，专利号：ZL202110494400.2，授权号：CN113380711B，授权日：2023.07.28，发明人：崔积适；

（17）发明名称：一种基于应力硅的电光调制器及其制备方法，专利号：ZL202011075048.0，授权号：CN112269277B，授权日：2024.03.22；发明人：崔积适，王娟，崔文静，陈洪敏；（已转让：厦门兴华鼎自动化技术有限公司）

（18）发明名称：一种一阶电光效应硅调制器及其制备工艺，专利号：ZL202110495084.0，授权号：CN113281921B，授权日：2024.08.09，发明人：崔积适；（已转让：厦门兴华鼎自动化技术有限公司）

（19）发明名称：一种一阶电光效应硅调制器及其制备工艺，专利号：ZL202110495073.2，授权号：CN113281920B，授权日：2023.08.20，发明人：崔积适；

（20）发明名称：一种GaN同质悬臂梁结构及其制备方法，专利号：ZL202110881690.6，授权号：CN113281920B，授权日：2024.11.22，发明人：崔积适；

（21）发明名称：一种Y分支波导分束器建模方法、装置、设备及存储介质，专利号：ZL202210650775.8，授权号：CN113281920B，授权日：2026.02.03，发明人：崔积适，肖洪地；